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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Lattice polarity detection of InN by circular photogalvanic effect 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 3, 页码: art. no. 031902 Zhang Q; Wang XQ; He XW; Yin CM; Xu FJ; Shen B; Chen YH; Wang ZG; Ishitani Y; Yoshikawa A 收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2010/03/08 III-V semiconductors  indium compounds  nondestructive testing  photoconductivity  radiation effects  semiconductor thin films  wide band gap semiconductors   Observation of the surface circular photogalvanic effect in InN films 期刊论文 solid state communications, 2009, 卷号: 149, 期号: 25-26, 页码: 1004-1007 Zhang Z; Zhang R; Xie ZL; Liu B; Li M; Fu DY; Fang HN; Xiu XQ; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Tang CG; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：158/1  |  提交时间：2010/03/08 InN  Surface charge accumulation layer  Spin-dependent current  Spin splitting   High responsivity resonant-cavity-enhanced InGaAs/GaAs quantum-dot photodetector for wavelength of similar to 1 mu m at room temperature 期刊论文 electronics letters, 2009, 卷号: 45, 期号: 6, 页码: 329-330 作者:  Zhu H;  Liu J 收藏  |  浏览/下载：252/78  |  提交时间：2010/03/08 PHOTODIODE