QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Strong Spin-Orbit Interactions in an InAlAs/InGaAs/InAlAs Two-Dimensional Electron Gas by Weak Antilocalization Analysis 期刊论文 japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 6, 页码: art. no. 063004 Sun L; Zhou WZ; Yu GL; Shang LY; Gao KH; Zhou YM; Lin T; Cui LJ; Zeng YP; Chu JH 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/03/08 QUANTUM-WELLS  GRADED HETEROSTRUCTURES  LOCALIZATION  SCATTERING  SYSTEMS  TIME  HETEROJUNCTIONS   GaAs Based InAs/GaSb Superlattice Short Wavelength Infrared Detectors Grown by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: art. no. 028102 作者:  Tang B;  Wang GW;  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：159/45  |  提交时间：2010/03/08 INAS/GA1-XINXSB SUPERLATTICE  GASB  HETEROJUNCTIONS  PHOTODIODES  SEGREGATION  LAYERS  INAS  ALSB   Determination of MgO/AlN heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 5, 页码: art. no. 052101 作者:  Wei HY;  Jiao CM;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：235/41  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  conduction bands  energy gap  high electron mobility transistors  III-V semiconductors  magnesium compounds  passivation  semiconductor heterojunctions  valence bands  wide band gap semiconductors  X-ray photoelectron spectra   Effect of Ka-band microwave on the spin dynamics of electrons in a GaAs/Al0.35Ga0.65As heterostructure 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 19, 页码: art. no. 192107 作者:  Qian X 收藏  |  浏览/下载：80/7  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  carrier lifetime  gallium arsenide  high-frequency effects  III-V semiconductors  optical Kerr effect  semiconductor heterojunctions  spin dynamics  two-dimensional electron gas