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科研机构
半导体研究所 [13]
内容类型
期刊论文 [13]
发表日期
2009 [13]
学科主题
半导体物理 [13]
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共13条,第1-10条
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发表日期:2009
学科主题:半导体物理
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Distribution of dislocations in GaSb and InSb epilayers grown on GaAs (001) vicinal substrates
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 9, 页码: art. no. 094903
Li MC
;
Qiu YX
;
Liu GJ
;
Wang YT
;
Zhang BS
;
Zhao LC
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/03/08
X-RAY-DIFFRACTION
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
FILMS
MISFIT
Electrically Pumped Room-Temperature Pulsed InGaAsP-Si Hybrid Lasers Based on Metal Bonding
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 064211
作者:
Wang Y
;
Pan JQ
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浏览/下载:113/0
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
WAVE-GUIDE CIRCUIT
DOUBLE HETEROSTRUCTURES
SILICON SUBSTRATE
CW OPERATION
WAFER
DEVICES
FILMS
Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301
Guo LC
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Wang CM
;
Ma ZY
;
Luo WJ
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:193/43
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提交时间:2010/03/08
CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
AL-CONTENT
ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES
HEMT STRUCTURES
PHASE EPITAXY
SAPPHIRE
GAS
DENSITIES
Size distributions of quantum islands on stepped substrates
期刊论文
journal of chemical physics, 2009, 卷号: 131, 期号: 15, 页码: art.no.154704
Liang S (Liang, S.)
;
Zhu HL (Zhu, H. L.)
;
Wang W (Wang, W.)
收藏
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浏览/下载:305/92
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Time-Resolved Photoluminescence of Metamorphic InGaAs Quantum Wells
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: art.no.107803
Ma SS (Ma Shan-Shan)
;
Wang, BR (Wang Bao-Rui)
;
Sun BQ (Sun Bao-Quan)
;
Wu DH (Wu Dong-Hai)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
收藏
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浏览/下载:182/72
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Controlling electronic structures by irradiation in single-walled SiC nanotubes: a first-principles molecular dynamics study
期刊论文
nanotechnology, 2009, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: art. no. 075708
作者:
Li JB
收藏
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浏览/下载:165/21
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SILICON-CARBIDE NANOTUBES
FORMATION ENERGIES
CARBON NANOTUBES
BORON-NITRIDE
NANOWIRES
COMPOSITES
DEFECTS
FUSION
Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si0.13Ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: art. no. 141902
Chen YH
;
Li C
;
Zhou ZW
;
Lai HK
;
Chen SY
;
Ding WC
;
Cheng BW
;
Yu YD
收藏
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浏览/下载:93/14
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提交时间:2010/03/08
chemical vapour deposition
elemental semiconductors
energy gap
germanium
Ge-Si alloys
photoluminescence
semiconductor epitaxial layers
semiconductor quantum wells
silicon
tensile strength
Strain and magnetic anisotropy of as-grown and annealed Fe films on c(4x4) reconstructed GaAs (001) surface
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 1, 页码: art. no. 013911
作者:
Chen L
收藏
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浏览/下载:74/0
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提交时间:2010/03/08
annealing
gallium arsenide
iron
magnetic anisotropy
magnetic epitaxial layers
magnetisation
molecular beam epitaxial growth
transmission electron microscopy
X-ray diffraction
Molecular Beam Epitaxy of GaSb on GaAs Substrates with AlSb Buffer Layers
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 018101
作者:
Xu YQ
;
Tang B
收藏
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浏览/下载:221/40
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提交时间:2010/03/08
SURFACE-MORPHOLOGY
GROWTH
SUPERLATTICES
HETEROSTRUCTURES
TEMPERATURE
DETECTORS
GAAS(100)
FILMS
INAS
INSB
Anomalous coarsening of self-assembled InAs quantum dots on vicinal GaAs (100) substrates
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: art. no. 055310
作者:
Ye XL
;
Pan JQ
;
Liang S
收藏
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浏览/下载:128/30
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MULTIATOMIC STEPS
ISLANDS
GROWTH
FABRICATION
EPITAXY
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