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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer 会议论文 international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007 Zhao, YM; Sun, GS; Liu, XF; Li, JY; Zhao, WS; Wang, L; Li, JM; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/03/09 Silicon Carbide  Aluminum Nitride  buffer layer  LPCVD   Dependence of wet etch rate on deposition, annealing conditions and etchants for PECVD silicon nitride film 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 151-154 作者:  Li Yan 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 Bulge testing and fracture properties of plasma-enhanced chemical vapor deposited silicon nitride thin films 期刊论文 thin solid films, 2009, 卷号: 517, 期号: 6, 页码: 1989-1994 作者:  Li Y 收藏  |  浏览/下载：359/38  |  提交时间：2010/03/08 Bulge test  Fracture property  Silicon nitride  Weibull distribution function