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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2008     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Dependence of current-voltage characteristics of pseudomorphic alas/in0.53ga0.47as/inas resonant tunnelling diodes on quantum well widths 期刊论文 Chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 12, 页码: 4645-4647 作者:  Zhang Yang;  Zhang Yu;  Zeng Yi-Ping 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Resonant tunnelling diode  Molecular beam epitaxy   Origin of negative differential resistance and memory characteristics in organic devices based on tris(8-hydroxyquinoline) aluminum 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008, 卷号: 103, 期号: 12 作者:  Lin, Jian;  Ma, Dongge 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/04/09 Origin of negative differential resistance and memory characteristics in organic devices based on tris(8-hydroxyquinoline) aluminum 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008, 卷号: 103, 期号: 12, 页码: 4 作者:  Lin, Jian;  Ma, Dongge 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2021/02/02 Origin of negative differential resistance and memory characteristics in organic devices based on tris(8-hydroxyquinoline) aluminum 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 12, 页码: 文献编号：124505 Lin J; Ma DG 收藏  |  浏览/下载：207/40  |  提交时间：2010/04/14 FILMS  CONDUCTANCE   Dependence of current-voltage characteristics of pseudomorphic AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs resonant tunnelling diodes on quantum well widths 期刊论文 chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 12, 页码: 4645-4647 作者:  Zhang Y;  Zhang Y 收藏  |  浏览/下载：268/32  |  提交时间：2010/03/08 resonant tunnelling diode  molecular beam epitaxy