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科研机构
半导体研究所 [31]
上海微系统与信息技术... [9]
长春应用化学研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [36]
会议论文 [4]
学位论文 [1]
发表日期
2008 [41]
学科主题
半导体物理 [15]
半导体材料 [8]
光电子学 [5]
Physics, M... [2]
Engineerin... [1]
Engineerin... [1]
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共41条,第1-10条
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发表日期:2008
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Influence of aln buffer thickness on gan grown on si(111) by gas source molecular beam epitaxy with ammonia
期刊论文
Chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4097-4100
作者:
Lin Guo-Qiang
;
Zeng Yi-Ping
;
Wang Xiao-Liang
;
Liu Hong-Xin
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
Wavelength extended 2.4 mu m heterojunction InGaAs photodiodes with InAlAs cap and linearly graded buffer layers suitable for both front and back illuminations
期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2008, 卷号: 51, 期号: 4, 页码: 316-321
Zhang, YG(张永刚)
;
Gu, Y
;
Tian, ZB
;
Li, AZ
;
Zhu, XR
;
Zheng, YL
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/24
VAPOR-PHASE EPITAXY
GAS-SOURCE MBE
DARK CURRENT
PHOTODETECTORS
DETECTORS
MOCVD
Gas source MBE-grown metamorphic InGaAs photodetectors using InAlAs buffer and cap layers with cut-off wavelength up to 2.7 mu m
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2292-2295
Tian, ZB
;
Gu, Y
;
Wang, K
;
Zhang, YG(张永刚)
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/24
2.6 MU-M
PHOTODIODES
CAMERA
Investigation of the extinction coefficient of PECVD hydrogenated amorphous silicon nitride films
期刊论文
JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING, 2008, 卷号: 18, 期号: 8, 页码: 85001-85001
Yan, X
;
Feng, F
;
Yang, GL
;
Wang, YL
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2011/12/17
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
THIN-FILMS
PLASMA
ABSORPTION
MIXTURES
MODEL
Assistance of A-plane sapphire substrate to the growth of single-walled carbon nanotubes
期刊论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 2008, 卷号: 40, 期号: 4, 页码: 731-735
Rao, FB
;
Li, T
;
Wang, YL
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2011/12/17
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
LOW-TEMPERATURE GROWTH
Microstructural study of MBE-grown ZnO film on GaN/sapphire (0001) substrate
期刊论文
CENTRAL EUROPEAN JOURNAL OF PHYSICS, 2008, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 638-642
Li, H
;
Sang, JP
;
Liu, C
;
Lu, HB
;
Cao, JC
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2011/12/02
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ROOM-TEMPERATURE
SAPPHIRE
CRYSTAL
LAYERS
MOCVD
GAN
Polarity conversion of hydride vapor phase epitaxy growing GaN via growth interruption modulation
期刊论文
THIN SOLID FILMS, 2008, 卷号: 516, 期号: 12, 页码: 3772-3775
Lei, BL
;
Yu, GH
;
Ye, HH
;
Meng, S
;
Wang, XZ
;
Lin, C
;
Qi, M
;
Li, A
;
Nouet, G
;
Ruterana, P
;
Chen, J
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/03/24
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
0001 SAPPHIRE
DEPENDENCE
FILMS
NITRIDATION
DIRECTION
SURFACES
LAYER
Mid-infrared optoelectronic devices and applications
期刊论文
AOE 2007: ASIA OPTICAL FIBER COMMUNICATION & OPTOELECTRONIC EXPOSITION & CONFERENCE, CONFERENCE PROCEEDINGS, 2008, 页码: 60-62
Zhang, YG(张永刚)
;
Li, AZ
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/03/24
QUANTUM CASCADE LASERS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
WELL INFRARED PHOTODETECTORS
MU-M
MQW LASERS
PERFORMANCE
ANTIMONIDE
BEHAVIOR
GROWTH
GSMBE生长的InAs量子点材料与器件研究
学位论文
硕士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2008
何焜
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/03/06
GSMBE
InAs量子点
光致发光谱
量子点激光器
Gas source MBE-grown metamorphic InGaAs photodetectors using InAlAs buffer and cap layers with cut-off wavelength up to 2.7 mu m
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2292-2295
Tian, ZB
;
Gu, Y
;
Wang, K
;
Zhang, YG(重点实验室)
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/05/10
Physics
Multidisciplinary
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