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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2008    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Valence band offset of inn/4h-sic heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 Applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 24, 页码: 3 作者:  Zhang, B. L.;  Sun, G. S.;  Guo, Y.;  Zhang, P. F.;  Zhang, R. Q. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Conduction bands  Iii-v semiconductors  Indium compounds  Interface states  Semiconductor heterojunctions  Silicon compounds  Valence bands  Wide band gap semiconductors  X-ray photoelectron spectra   Strain relaxation and band-gap tunability in ternary inxga1-xn nanowires 期刊论文 Physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: 4 作者:  Xiang, H. J.;  Wei, Su-Huai;  Da Silva, Juarez L. F.;  Li, Jingbo 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Density functional theory  Energy gap  Enthalpy  Gallium compounds  Ground states  Iii-v semiconductors  Indium compounds  Monte carlo methods  Nanowires  Semiconductor quantum wires  Wide band gap semiconductors   Strain relaxation and band-gap tunability in ternary InxGa1-xN nanowires 期刊论文 physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 193301 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：209/43  |  提交时间：2010/03/08 density functional theory  energy gap  enthalpy  gallium compounds  ground states  III-V semiconductors  indium compounds  Monte Carlo methods  nanowires  semiconductor quantum wires  wide band gap semiconductors   Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111) 期刊论文 physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: 294-299 Wu, JJ; Zhao, LB; Zhang, GY; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG; Jia, QJ; Guo, LP; Hu, TD 收藏  |  浏览/下载：69/3  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  TEMPERATURE ALN INTERLAYERS  PHASE EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  SURFACTANT  SUBSTRATE  STRESS  SI  REDUCTION  SAPPHIRE   Valence band offset of InN/4H-SiC heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 24, 页码: art. no. 242107 Zhang BL; Sun GS; Guo Y; Zhang PF; Zhang RQ; Fan HB; Liu XL; Yang SY; Zhu QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：233/42  |  提交时间：2010/03/08 conduction bands  III-V semiconductors  indium compounds  interface states  semiconductor heterojunctions  silicon compounds  valence bands  wide band gap semiconductors  X-ray photoelectron spectra