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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2008    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Small sige quantum dots obtained by excimer laser annealing 期刊论文 Journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 16, 页码: 3746-3751 作者:  Han, Genquan;  Zeng, Yugang;  Liu, Yan;  Yu, Jinzhong;  Cheng, Buwen 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2019/05/12 Diffusion  Atomic force microscopy  Germanium silicon alloys   Preliminary design of a tensile-strained p-type si/sige quantum well infrared photodetector 期刊论文 Semiconductor science and technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 5 作者:  Jiang, Lin Gui;  Kai, Lai Hong;  Cheng, Li;  Yan, Chen Song;  Zhong, Yu Jin 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Recent progresses of si-based photonics in chinese main land 期刊论文 Ieice transactions on electronics, 2008, 卷号: E91c, 期号: 2, 页码: 150-155 作者:  Yu, Jinzhong;  Wang, Qiming;  Chenw, Buwen;  Chen, Saowu;  Zuo, Yuhua 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Nanoctystals  Pl  Quantum dot  Soi  Optical switch matrix  Photodiodes   Small SiGe quantum dots obtained by excimer laser annealing 期刊论文 journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 16, 页码: 3746-3751 Han GQ; Zeng YG; Liu Y; Yu JZ; Cheng BW; Yang HT 收藏  |  浏览/下载：61/1  |  提交时间：2010/03/08 diffusion   Preliminary design of a tensile-strained p-type Si/SiGe quantum well infrared photodetector 期刊论文 semiconductor science and technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: art. no. 035011 Jiang LG; Kai LH; Cheng L; Yan CS; Zhong YJ 收藏  |  浏览/下载：72/3  |  提交时间：2010/03/08 INTERSUBBAND ABSORPTION