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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2008 [5]
学科主题
半导体物理 [5]
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发表日期:2008
学科主题:半导体物理
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Influence of V/III ratio on the structural and photoluminescence properties of In0.52AlAs/In0.53GaAs metamorphic high electron mobility transistor grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 1119-1123
Gao, HL
;
Zeng, YP
;
Wang, BQ
;
Zhu, ZP
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:54/6
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提交时间:2010/03/08
molecular beam epitaxy
semiconducting III-V materials
high electron mobility transistors
Structural, electrical, and optical properties of InAsxSb1-x epitaxial films grown by liquid-phase epitaxy
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 7, 页码: art. no. 073712
作者:
Wang Y
;
Zhang XW
;
Yin ZG
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Localized and free exciton spin relaxation dynamics in GaInNAs/GaAs quantum well
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 5, 页码: art. no. 051908
Lu SL
;
Bian LF
;
Uesugi M
;
Nosho H
;
Tackeuchi A
;
Niu ZC
收藏
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浏览/下载:49/2
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Photoluminescence and lasing properties of InAs/GaAs quantum dots grown by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 11, 页码: 4300-4304
作者:
Liang S
;
Pan JQ
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/03/08
metal-organic chemical vapour deposition
Growth Parameter Dependence of Structural Characterizations of Diluted Magnetic Semiconductor (Ga, Cr)As
期刊论文
ieee transactions on magnetics, 2008, 卷号: 44, 期号: 11, 页码: 2692-2695
作者:
Gan HD
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浏览/下载:174/43
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提交时间:2010/03/08
Magnetic analysis
magnetic semiconductors
molecular-beam epitaxial growth
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