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浏览/检索结果: 共22条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Optical properties of InGaAs/GaAs quantum chains 期刊论文 acta physica sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 3, 页码: 1908-1912 Wang, BR; Sun, Z; Xu, ZY; Sun, BQ; Ji, Y; Wang, ZM; Salamo, GJ 收藏  |  浏览/下载：69/1  |  提交时间：2010/03/08 InGaAs/GaAs  quantum dots  quantum chains   Electric-field switching of exciton spin splitting in coupled quantum dots 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 25, 页码: art. no. 251114 Li XJ; Chang K 收藏  |  浏览/下载：55/6  |  提交时间：2010/03/08 Single-photon emission from a single InAs quantum dot 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 501-504 Dou, XM; Sun, BQ; Huang, SS; Ni, HQ; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：39/2  |  提交时间：2010/03/08 FLUORESCENCE  TEMPERATURE   Temperature dependence of photoluminescence from single and ensemble InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3440-3443 Dou, XM; Sun, BQ; Xiong, YH; Huang, SS; Ni, HQ; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：69/1  |  提交时间：2010/03/08 CARRIER RELAXATION  ENERGY RELAXATION  LINE-SHAPE  EMISSION  DENSITY   Photoluminescence energy and fine structure splitting in single quantum dots by uniaxial stress 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1120-1123 Dou, XM; Sun, BQ; Wang, BR; Ma, SS; Zhou, R; Huang, SS; Ni, HQ; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：50/2  |  提交时间：2010/03/08 EXCHANGE INTERACTION  GAAS  PRESSURE  DEPENDENCE  AMPLIFIERS  ELECTRON  EMISSION  EXCITONS  PHOTONS  SPECTRA   Optical study of lateral carrier transfer in (In,Ga)As/GaAs quantum-dot chains 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: art. no. 011107 Wang, BR; Sun, BQ; Ji, Y; Dou, XM; Xu, ZY; Wang, ZM; Salamo, GJ 收藏  |  浏览/下载：104/2  |  提交时间：2010/03/08 LOCALIZED STATES  ISLANDS  WIRES  SUPERLATTICES  ORGANIZATION  GAAS(100)  EXCITONS  GROWTH  DECAY  GAAS   Electric-field tuning s-d exchange interaction in quantum dots 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 7, 页码: art. no. 071116 Li XJ; Chang K 收藏  |  浏览/下载：55/4  |  提交时间：2010/03/08 SEMICONDUCTORS   Influence of V/III ratio on the structural and photoluminescence properties of In0.52AlAs/In0.53GaAs metamorphic high electron mobility transistor grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 1119-1123 Gao, HL; Zeng, YP; Wang, BQ; Zhu, ZP; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：54/6  |  提交时间：2010/03/08 molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  high electron mobility transistors   Localized and free exciton spin relaxation dynamics in GaInNAs/GaAs quantum well 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 5, 页码: art. no. 051908 Lu SL; Bian LF; Uesugi M; Nosho H; Tackeuchi A; Niu ZC 收藏  |  浏览/下载：49/2  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Long-wavelength light emission from self-assembled heterojunction quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 9, 页码: art. no. 094315 Zhou, ZQ; Xu, YQ; Hao, RT; Tang, B; Ren, ZW; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：43/4  |  提交时间：2010/03/08 MU-M  GAAS  GROWTH  EPITAXY