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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：2006    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 New type of fano resonant tunneling via anderson impurities in superlattice 期刊论文 Europhysics letters, 2006, 卷号: 74, 期号: 5, 页码: 875-881 作者:  Xu, S. J.;  Xiong, S. -J.;  Liu, J.;  Zheng, H. Z. 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth and magnetic properties of zincblende CrSb epilayers on relaxed and strained (In, Ga)As buffers 期刊论文 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 493-496 作者:  Zheng YH 收藏  |  浏览/下载：205/0  |  提交时间：2010/04/11 ROOM-TEMPERATURE FERROMAGNETISM  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  MULTILAYER  CRAS   Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD 期刊论文 journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18 Fang CB; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Wang CM; Li JM 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 MOCVD  GaN  resistivity  TSC  N-TYPE GAN  DOPED GAN  SPECTROSCOPY  CARBON  FE   New type of Fano resonant tunneling via Anderson impurities in superlattice 期刊论文 europhysics letters, 2006, 卷号: 74, 期号: 5, 页码: 875-881 作者:  Liu J 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/04/11 ELECTRIC-FIELD  SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES  LOCALIZATION   Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer 期刊论文 journal of the electrochemical society, 2006, 卷号: 153, 期号: 7, 页码: g703-g706 作者:  Ye XL;  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2010/04/11 GAAS  SPECTROSCOPY  PARAMETERS  TRANSPORT  LASERS  ENERGY  STATES  HOLE   Photoinduced spin alignment of the magnetic ions in (Ga,Mn)As 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 8, 页码: art.no.083104 Sun BQ (Sun Baoquan); Jiang DS (Jiang Desheng); Sun Z (Sun Zheng); Ruan XZ (Ruan Xuezhong); Deng JJ (Deng Jiajun); Zhao JH (Zhao Jianhua); Ji Y (Ji Yang); Xu ZY (Xu Zhongying) 收藏  |  浏览/下载：88/0  |  提交时间：2010/04/11 CDTE/CD1-XMNXTE QUANTUM-WELLS  SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES  LARMOR PRECESSION  MN2+ MOMENTS  DYNAMICS  POLARONS  SPECTROSCOPY  ORGANIZATION  CD1-XMNXSE  CARRIERS   Recombination property of nitrogen-acceptor-bound states in ZnO 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.046101 Yang XD; Xu ZY; Sun Z; Sun BQ; Ding L; Wang FZ; Ye ZZ 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  P-TYPE ZNO  OPTICAL-PROPERTIES  EXCITON FORMATION  PHOTOLUMINESCENCE  FILMS  SPECTROSCOPY  DYNAMICS  IMPURITY  ENERGY   Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 380-383 Zhao YW (Zhao Y. W.); Dong ZY (Dong Z. Y.); Deng AH (Deng A. H.) 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/04/11 indium phosphide  defect  irradiation  THERMALLY STIMULATED CURRENT  UNDOPED SEMIINSULATING INP  DEEP-LEVEL DEFECTS  FRENKEL PAIRS  FE  SPECTROSCOPY  PHOSPHIDE  AMBIENT  TRAPS   Electronic structure of ZnO wurtzite quantum wires 期刊论文 european physical journal b, 2006, 卷号: 49, 期号: 4, 页码: 415-420 Xia JB (Xia J. B.); Zhanga XW (Zhang X. W.) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/04/11 LOW-TEMPERATURE GROWTH  BINDING-ENERGIES  NANOWIRE ARRAYS  PHOTOLUMINESCENCE  PHOTODETECTORS  SPECTROSCOPY  SAPPHIRE  CRYSTAL  GAN