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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2006    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Probing deep level centers in gan epilayers with variable-frequency capacitance-voltage characteristics of au/gan schottky contacts 期刊论文 Applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 14, 页码: 3 作者:  Wang, R. X.;  Xu, S. J.;  Shi, S. L.;  Beling, C. D.;  Fung, S. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Nanocrystalline silicon films with high conductivity and the application for pin solar cells 期刊论文 Vacuum, 2006, 卷号: 81, 期号: 1, 页码: 126-128 作者:  Cui Min;  Zhang Weija;  Wang Tianmin;  Jin Fei;  Li Guohua 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Nc-si : h  Conductivity  Pecvd  Films  Solar cells   A small signal equivalent circuit model for resonant tunnelling diode 期刊论文 Chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 2292-2295 作者:  Ma Long;  Huang Ying-Long;  Zhang Yang;  Wang Liang-Chen;  Yang Fu-Hua 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 A small signal equivalent circuit model for resonant tunnelling diode 期刊论文 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 2292-2295 Ma L (Ma Long); Huang YL (Huang Ying-Long); Zhang Y (Zhang Yang); Wang LC (Wang Liang-Chen); Yang FH (Yang Fu-Hua); Zeng YP (Zeng Yi-Ping) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/04/11 TRANSISTORS  POWER   Probing deep level centers in GaN epilayers with variable-frequency capacitance-voltage characteristics of Au/GaN Schottky contacts 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 14, 页码: art.no.143505 Wang RX (Wang R. X.); Xu SJ (Xu S. J.); Shi SL (Shi S. L.); Beling CD (Beling C. D.); Fung S (Fung S.); Zhao DG (Zhao D. G.); Yang H (Yang H.); Tao XM (Tao X. M.) 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/04/11 DISLOCATIONS  DEGRADATION   Nanocrystalline silicon films with high conductivity and the application for PIN solar cells 期刊论文 vacuum, 2006, 卷号: 81, 期号: 1, 页码: 126-128 Min C (Cui Min); Zhang WJ (Zhang Weija); Wang TM (Wang Tianmin); Jin F (Jin Fei); Li GH (Li Guohua); Ding K (Ding Kun) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/04/11 nc-Si : H  conductivity  PECVD  films  solar cells   Room-temperature observation of electron resonant tunneling through InAs/AlAs quantum dots 期刊论文 electrochemical and solid state letters, 2006, 卷号: 9, 期号: 5, 页码: g167-g170 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2010/04/11 SEMICONDUCTOR-DEVICES  TRANSPORT  STATES  BISTABILITY  VOLTAGE  LASERS  DIODE   Nanoelectronic devices-resonant tunnelling diodes grown on InP substrates by molecular beam epitaxy with peak to valley current ratio of 17 at room temperature 期刊论文 chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 1335-1338 作者:  Zhang Y 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/04/11 resonant tunnelling diode  InP substrate  molecular beam epitaxy  high resolution transmission electron microscope  CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS  INTRINSIC BISTABILITY  CIRCUIT