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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2006    内容类型：期刊论文    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Total dose radiation tolerance of phase change memory cell with GeSbTe alloy 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2557-2559 Wu, LC; Liu, B; Song, ZT; Feng, GM; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 AMORPHOUS THIN-FILMS  RANDOM-ACCESS MEMORY  GE2SB2TE5 FILMS  ELECTRICAL-PROPERTIES  NONVOLATILE  GE20TE80-XBIX  IMPLANTATION  TEMPERATURE  TRANSITION   A comparison of pulsed-laser-deposited and ion-beam-enhanced-deposited AlN thin films for SOI application 期刊论文 MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2006, 卷号: 133, 期号: 1-3, 页码: 124-128 Men, CL; Lin, CL 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  EPITAXIAL-GROWTH  ALUMINUM NITRIDE  ELECTRICAL-PROPERTIES  SILICON  INSULATOR  TEMPERATURE  FABRICATION  SI(111)  AIN