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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2006    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The study of high temperature annealing of a-SiC : H films 期刊论文 advanced materials forum iii, 2006, 卷号: pts 1 and 2 514-516, 期号: 0, 页码: 18-22 Zhang S; Hu Z; Raniero L; Liao X; Ferreira I; Fortunato E; Vilarinho P; Perreira L; Martins R 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2010/04/11 silicon carbide  high temperature annealing  thin film  SILICON  PECVD   Interface effect on emission properties of Er-doped Si nanoclusters embedded in SiO2 prepared by magnetron sputtering 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.094302 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/04/11 ROOM-TEMPERATURE  SILICON  SEMICONDUCTORS  DISLOCATIONS  SPECTRA