QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2006    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electrical properties of B-doped polycrystalline silicon thin films prepared by rapid thermal chemical vapour deposition 期刊论文 thin solid films, 2006, 卷号: 497, 期号: 1-2, 页码: 157-162 Ai B; Shen H; Liang ZC; Chen Z; Kong GL; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/04/11 chemical vapour deposition  electrical properties and measurements  scanning electron microscopy  polycrystalline silicon  GRAIN-BOUNDARIES  STATES   Synthesis and photoluminescence properties of vertically aligned ZnO nanorod-nanowall junction arrays on a ZnO-coated silicon substrate 期刊论文 nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 15, 页码: 3740-3744 Li C (Li Chun); Fang GJ (Fang Guojia); Su FH (Su Fuhai); Li GH (Li Guohua); Wu XG (Wu Xiaoguang); Zhao XZ (Zhao Xingzhong) 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/04/11 TEMPERATURE-DEPENDENT PHOTOLUMINESCENCE  OPTICAL-PROPERTIES  ZINC-OXIDE  THIN-FILMS  VAPOR-DEPOSITION  SI SUBSTRATE  NANOWIRES  GROWTH  EMISSION  EPITAXY   Temperature and power-density-dependent inter-shell energy states in InAs/GaAs quantum dots 会议论文 15th international conferene on dynamical processes in excited states of solids, shanghai, peoples r china, aug 01-05, 2005 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：159/26  |  提交时间：2010/03/29 quantum dots   Synthesis and photoluminescence of ZnS : Cu nanoparticles 期刊论文 optical materials, 2006, 卷号: 29, 期号: 2-3, 页码: 313-317 Peng WQ (Peng W. Q.); Cong GW (Cong G. W.); Qu SC (Qu S. C.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/04/11 zinc sulfide  nanoparticles  photoluminescence  DOPED NANOCRYSTALS  LUMINESCENCE  ELECTRON   Porous InP array-directed assembly of InAs nanostructure 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 26, 页码: art.no.263107 作者:  Li L 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/04/11 BEAM EPITAXIAL-GROWTH  QUANTUM DOTS  RADIATIVE RECOMBINATION  PATTERNED GAAS  SURFACE  STATES  GE   Temperature and power-density-dependent inter-shell energy states in InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of luminescence, 2006, 卷号: 119, 期号: 0, 页码: 183-187 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/04/11 quantum dots  exciton  photoluminescence   Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature 会议论文 11th conference on defects recognition imaging and physics in semiconductors, beijing, peoples r china, sep 13-19, 2005 Zhao, YW (Zhao, Y. W.); Dong, ZY (Dong, Z. Y.); Deng, AH (Deng, A. H.) 收藏  |  浏览/下载：158/28  |  提交时间：2010/03/29 indium phosphide   Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 380-383 Zhao YW (Zhao Y. W.); Dong ZY (Dong Z. Y.); Deng AH (Deng A. H.) 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/04/11 indium phosphide  defect  irradiation  THERMALLY STIMULATED CURRENT  UNDOPED SEMIINSULATING INP  DEEP-LEVEL DEFECTS  FRENKEL PAIRS  FE  SPECTROSCOPY  PHOSPHIDE  AMBIENT  TRAPS