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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2006 [4]
学科主题
半导体材料 [4]
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发表日期:2006
学科主题:半导体材料
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Electrical properties of undoped In0.53Ga0.47As grown on InP substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 291-293
Cui LJ (Cui L. J.)
;
Zeng YP (Zeng Y. P.)
;
Wang BQ (Wang B. Q.)
;
Zhu ZP (Zhu Z. P.)
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/04/11
characterization
point defects
molecular beam epitaxy
semiconducting gallium compounds
semiconducting indium compounds
semiconducting ternary compounds
1.55 MU-M
QUANTUM-WELLS
TEMPERATURE
GAAS
Preparation and characterization of GaN films by radio frequency magnetron sputtering and carbonized-reaction technique
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 6, 页码: 2153-2158
Zhang CG
;
Chen WD
;
Bian LF
;
Song SF
;
Hsu CC
收藏
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浏览/下载:81/0
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提交时间:2010/04/11
gallium nitride films
gallium oxide
carbonized-reaction
NITRIDE THIN-FILMS
TEMPERATURE
SUBSTRATE
SI(111)
Recent research results on deep level defects in semi-insulating InP - Application to improve material quality
会议论文
12th international conference on indium phosphide and related materials, princeton, nj, may 07-11, 2006
Zhao, YW (Zhao, Youwen)
;
Dong, ZY (Dong, Zhiyuan)
;
Dong, HW (Dong, Hongwei)
;
Sun, NF (Sun, Niefeng)
;
Sun, TN (Sun, Tongnian)
收藏
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浏览/下载:61/12
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提交时间:2010/03/29
STIMULATED CURRENT SPECTROSCOPY
CURRENT TRANSIENT SPECTROSCOPY
FE-DOPED INP
POINT-DEFECTS
COMPENSATION
TEMPERATURE
DONORS
TRAPS
Al2O3 : Cr3+ nanotubes synthesized via homogenization precipitation followed by heat treatment
期刊论文
journal of physical chemistry b, 2006, 卷号: 110, 期号: 32, 页码: 15749-15754
Cheng BC (Cheng Baochang)
;
Qu SC (Qu Shengchun)
;
Zhou HY (Zhou Huiying)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/04/11
GALLIUM NITRIDE NANOTUBES
SINGLE-CRYSTALLINE
ALUMINA NANOTUBES
ALPHA-AL2O3 NANOWIRES
OXIDE NANOTUBES
ROUTE
FILMS
NANOSTRUCTURES
PHOTOLUMINESCENCE
TEMPERATURE
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