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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2005 [4]
学科主题
半导体材料 [4]
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发表日期:2005
学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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Interband and intraband photocurrent of self-assembled InAs/InAlAs/InP nanostructures
期刊论文
nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 2785-2789
作者:
Jin P
;
Xu B
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/04/11
DOT INFRARED PHOTODETECTORS
INAS/GAAS QUANTUM DOTS
ROOM-TEMPERATURE
SPECTROSCOPY
PHOTOCONDUCTIVITY
HETEROSTRUCTURES
TRANSITIONS
LASERS
WELLS
INP
InAs/GaAs quantum-dot superluminescent diodes with 110 nm bandwidth
期刊论文
electronics letters, 2005, 卷号: 41, 期号: 25, 页码: 1400-1402
作者:
Jin P
收藏
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/04/11
SPECTRUM
Optical properties of self-assembled InAs/InAlAs/InP quantum wires with different InAs deposited thickness
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 286, 期号: 1, 页码: 23-27
作者:
Jin P
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2010/04/11
defects
lateral composition modulation
photoluminescence
molecular beam epitaxy
quantum wires
semiconductor III-V material
DOTS
HETEROSTRUCTURES
INALAS/INP(001)
SPECTROSCOPY
WAVELENGTH
INP(001)
Structural and optical investigation of Mn-doped ZnS nanocrystals
期刊论文
pricm 5: the fifth pacific rim international conference on advanced materials and processing, 2005, 卷号: pts 1-5, 期号: 475-479, 页码: 1795-1798
Peng, WQ
;
Qu, SC
;
Cong, GW
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:32/0
  |  
提交时间:2010/03/17
ZnS
nanocrystals
photoluminescence
SULFIDE
LUMINESCENCE
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