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浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2004    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of level filling on optical properties of quantum well 期刊论文 acta physica sinica, 2004, 卷号: 53, 期号: 12, 页码: 4334-4340 Zhu, L; Zheng, HZ; Tan, PH; Zhou, X; Ji, Y; Yang, FH; Li, GR; Zeng, YX 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/03/17 resonant tunneling   Photoluminescence of doped ZnS nanoparticles under hydrostatic pressure 期刊论文 physica status solidi b-basic research, 2004, 卷号: 241, 期号: 14, 页码: 3248-3256 Li GH; Su FH; Ma BS; Ding K; Xu SJ; Chen W 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/03/17 OPTICAL-PROPERTIES   Nonradiative recombination centers in Ga(As,N) and their annealing behavior studied by Raman spectroscopy 期刊论文 applied physics letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 11, 页码: 1859-1861 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：83/29  |  提交时间：2010/03/09 1.3 MU-M   Size self-scaling effect in stacked InAs/InAlAs nanowire multilayers 期刊论文 applied physics letters, 2004, 卷号: 85, 期号: 21, 页码: 5061-5063 Sun ZZ; Yoon SF; Wu J; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：119/27  |  提交时间：2010/03/09 INAS QUANTUM WIRES   Photoluminescence characterization of nanocrystalline ZnO array 期刊论文 chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 2301-2304 Chang YQ; Yu DP; Li GH; Fang ZL; Zhang Y; Chen YF; Yang FH 收藏  |  浏览/下载：121/18  |  提交时间：2010/03/09 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Suppression of exciton recombination in symmetric GaAs0.7Sb0.3/GaAs/GaAs0.7P0.3 coupled quantum wells induced by an in-plane magnetic field 期刊论文 journal of applied physics, 2004, 卷号: 95, 期号: 2, 页码: 752-754 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：153/39  |  提交时间：2010/03/09 PHOTOLUMINESCENCE   Effect of the InAlAs and InGaAs combination strain-reducing layer on 1.3 mu m emission self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2004, 卷号: 37, 期号: 7, 页码: 1012-1016 Fang, ZD; Gong, Z; Miao, ZH; Kong, LM; Xu, XH; Ni, HQ; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：149/47  |  提交时间：2010/03/09 PHOTOLUMINESCENCE   Generation and behavior of pure-edge threading misfit dislocations in InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 journal of applied physics, 2004, 卷号: 96, 期号: 9, 页码: 5267-5270 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：52/17  |  提交时间：2010/03/09 VAPOR-PHASE EPITAXY   Photoluminescence from self-assembled long-wavelength InAs/GaAs quantum dots under pressure 期刊论文 journal of applied physics, 2004, 卷号: 95, 期号: 3, 页码: 933-938 Ma, BS; Wang, XD; Su, FH; Fang, ZL; Ding, K; Niu, ZC; Li, GH 收藏  |  浏览/下载：54/24  |  提交时间：2010/03/09 GAMMA-X CROSSOVER   Photoluminescence study of InGaN/GaN quantum dots grown on passivated GaN surface 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 1-2, 页码: 13-17 Huang JS; Chen Z; Luo XD; Xu ZY; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：136/15  |  提交时间：2010/03/09 atomic force microscopy