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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2004    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 3-4, 页码: 504-508 Chen, Z; Chua, SJ; Yuan, HR; Liu, XL; Lu, DC; Han, PD; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：269/35  |  提交时间：2010/03/09 metalorganic chemical vapor deposition   Wide-Band Polarization-Independent Semiconductor Optical Amplifier Gate with Tensile-Strained Quasi-Bulk InGaAs 期刊论文 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 8, 页码: 898-902 作者:  Wang Wei;  Wang Wei 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/23 Effect of spontaneous and piezoelectric polarization on intersubband transition in AlxGa1-xN-GaN quantum well 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 2004, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 2568-2573 Li, JM; Lu, YW; Li, DB; Han, XX; Zhu, QS; Liu, XL; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/03/17 RAY PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY   Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 会议论文 international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：83/1  |  提交时间：2010/10/29 metalorganic chemical vapor deposition  semiconducting III-V materials  DOPED AL(X)GA1-XN/GAN HETEROSTRUCTURES  CARRIER CONFINEMENT  EFFECT TRANSISTORS  PHOTOLUMINESCENCE  MOBILITY  HETEROJUNCTION  INTERFACE  HFETS