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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2002    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Increased thickness of buried oxide layer of silicon on insulator in separation by implantation of oxygen with water plasma 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2002, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 1570-1573 Chen, J; Chen, M; Dong, YM; Wang, X; Zheng, ZH; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/24 ION-IMPLANTATION  HIGH-TEMPERATURE  DIFFUSION  HYDROGEN  MECHANISM  OXIDATION  SIMOX  SIO2