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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2002    内容类型：期刊论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Anomalous temperature dependence of photoluminescence in gainnas/gaas multiple quantum wells 期刊论文 Chinese physics letters, 2002, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: 1203-1206 作者:  Liang, XG;  Jiang, DS;  Bian, LF;  Pan, Z;  Li, LH 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Rapid thermal annealing effects on step-graded inalas buffer layer and in0.52al0.48as/in0.53ga0.47as metamorphic high electron mobility transistor structures on gaas substrates 期刊论文 Journal of applied physics, 2002, 卷号: 91, 期号: 4, 页码: 2429-2432 作者:  Cui, LJ;  Zeng, YP;  Wang, BQ;  Wu, J;  Zhu, ZP 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Anomalous temperature dependence of photoluminescence in GaInNAs/GaAs multiple quantum wells 期刊论文 chinese physics letters, 2002, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: 1203-1206 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 BAND  LUMINESCENCE  GAAS  LOCALIZATION  EMISSION  BEHAVIOR  SHIFT  INGAN   Rapid thermal annealing effects on step-graded InAlAs buffer layer and In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As metamorphic high electron mobility transistor structures on GaAs substrates 期刊论文 journal of applied physics, 2002, 卷号: 91, 期号: 4, 页码: 2429-2432 Cui LJ; Zeng YP; Wang BQ; Wu J; Zhu ZP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：70/6  |  提交时间：2010/08/12 HEMTS   Investigation on the origin of crystallographic tilt in lateral epitaxial overgrown GaN using selective etching 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 240, 期号: 3-4, 页码: 368-372 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  etching  metalorganic vapor-phase epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  LIGHT-EMITTING-DIODES  VAPOR-PHASE EPITAXY  FILMS  DISLOCATIONS  DENSITY  GROWTH  LAYERS