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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：2001    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth and photoluminescence of epitaxial CeO2 film on Si (111) substrate 期刊论文 chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 3, 页码: 443-444 Gao F; Li GH; Zhang JH; Qin FG; Yao ZY; Liu ZK; Wang ZG; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：105/9  |  提交时间：2010/08/12 OPTICAL-PROPERTIES  THIN-FILMS  DEPOSITION  EMISSION  LAYERS   Epitaxial growth of SiC on complex substrates 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Sun GS; Li JM; Luo MC; Zhu SR; Wang L; Zhang FF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15 optical microscopy  X-ray diffraction  molecular beam epitaxy  semiconducting silicon compounds  SAPPHIRE  DEPOSITION  FILMS   Surface acoustic wave velocity and electromechanical coupling coefficient of GaN grown on (0001) sapphire by metal-organic vapour phase epitaxy 期刊论文 chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 1418-1419 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：84/7  |  提交时间：2010/08/12 THIN-FILMS  DEPOSITION  DIODES   Indium doping effect on GaN in the initial growth stage 期刊论文 journal of electronic materials, 2001, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 977-979 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：155/29  |  提交时间：2010/08/12 GaN  indium doping  initial growth stage  morphology  optical transmission  photoluminescence  VAPOR-PHASE EPITAXY  BUFFER LAYER  FILMS  SAPPHIRE  DEPOSITION   Polarity dependence of hexagonal GaN films on two opposite c faces of Al2O3 substrate 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 25, 页码: 3974-3976 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：76/9  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SURFACE POLARITY  SINGLE-CRYSTALS  BUFFER LAYER  GROWN GAN  DEPOSITION  MORPHOLOGY  QUALITY  ZNO   Epitaxial growth of SiC on complex substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 811-815 Sun GS; Li JM; Luo MC; Zhu SR; Wang L; Zhang FF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：95/9  |  提交时间：2010/08/12 optical microscopy  X-ray diffraction  molecular beam epitaxy  semiconducting silicon compounds  SAPPHIRE  DEPOSITION  FILMS   Carbonization process of Si(100) by ion-beam bombardment 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 3, 页码: 446-450 Liao MY; Chai CL; Yao ZY; Yang SY; Liu ZK; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：83/8  |  提交时间：2010/08/12 diffusion  growth models  ion bombardment  reflection high energy electron diffraction  physical vapor phase deposition  semiconducting silicon compounds  CUBIC GAN  GROWTH  DEPOSITION  EPITAXY  SILICON  DIAMOND   The PL "violet shift" of cerium dioxide on silicon 期刊论文 chinese science bulletin, 2001, 卷号: 46, 期号: 24, 页码: 2046-2048 Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Liao MY; Chen NF; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：96/8  |  提交时间：2010/08/12 cerium dioxide thin film  PL violet shift  THIN-FILMS  DEPOSITION  CEO2  INTERFACE  OXIDES  GROWTH   Gap states of hydrogenated amorphous silicon near and above the threshold of microcrystallinity with subtle boron compensation 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2509-2511 Sheng SR; Liao XB; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：103/17  |  提交时间：2010/08/12 CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD  A-SI-H  ABSORPTION  FILMS  SPECTROSCOPY  DEPOSITION  STABILITY  DILUTION