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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2001 [4]
学科主题
半导体物理 [4]
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发表日期:2001
学科主题:半导体物理
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Growth and photoluminescence of epitaxial CeO2 film on Si (111) substrate
期刊论文
chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 3, 页码: 443-444
Gao F
;
Li GH
;
Zhang JH
;
Qin FG
;
Yao ZY
;
Liu ZK
;
Wang ZG
;
Lin LY
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浏览/下载:105/9
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提交时间:2010/08/12
OPTICAL-PROPERTIES
THIN-FILMS
DEPOSITION
EMISSION
LAYERS
Surface acoustic wave velocity and electromechanical coupling coefficient of GaN grown on (0001) sapphire by metal-organic vapour phase epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 1418-1419
作者:
Han PD
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浏览/下载:84/7
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提交时间:2010/08/12
THIN-FILMS
DEPOSITION
DIODES
Polarity dependence of hexagonal GaN films on two opposite c faces of Al2O3 substrate
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 25, 页码: 3974-3976
作者:
Han PD
收藏
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浏览/下载:76/9
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SURFACE POLARITY
SINGLE-CRYSTALS
BUFFER LAYER
GROWN GAN
DEPOSITION
MORPHOLOGY
QUALITY
ZNO
Gap states of hydrogenated amorphous silicon near and above the threshold of microcrystallinity with subtle boron compensation
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2509-2511
Sheng SR
;
Liao XB
;
Kong GL
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提交时间:2010/08/12
CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD
A-SI-H
ABSORPTION
FILMS
SPECTROSCOPY
DEPOSITION
STABILITY
DILUTION
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