QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共33条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2001    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 399-403 Qu B; Zheng XH; Wang YT; Xu DP; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：85/11  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  nitrides  semiconducting III-V materials  PHASE  FILMS   Epitaxial growth of SiC on complex substrates 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Sun GS; Li JM; Luo MC; Zhu SR; Wang L; Zhang FF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15 optical microscopy  X-ray diffraction  molecular beam epitaxy  semiconducting silicon compounds  SAPPHIRE  DEPOSITION  FILMS   MOVPE生长Ga_xAl_yIn_（1-x-y）N的准热力学模型（英文） 期刊论文 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 677 陆大成; 段树坤 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23 InGaN光致发光性质与温度的关系 期刊论文 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 569 作者:  樊志军 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/11/23 Current-induced migration of surface adatoms during GaN growth by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 376-380 Zheng LX; Xie MH; Xu SJ; Cheung SH; Tong SY 收藏  |  浏览/下载：81/5  |  提交时间：2010/08/12 surface processes  molecular beam epitaxy  nitrides  semiconducting gallium compounds  GAN(0001) SURFACES  RECONSTRUCTIONS   X-Ray diffraction determination of the fractions of hexagonal and twinned phases in cubic GaN layers grown on (001)GaAs substrate 期刊论文 thin solid films, 2001, 卷号: 392, 期号: 1, 页码: 29-33 Qu B; Zheng XH; Wang YT; Feng ZH; Liu SA; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：102/13  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  X-ray diffraction  EPITAXY  RATIO   立方相GaN/GaAs（001）外延层中六角相的分布特征 期刊论文 中国科学. E辑，技术科学, 2001, 卷号: 31, 期号: 3, 页码: 217 作者:  王玉田 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/23 立方相GaN外延层的表面起伏和高密度孪晶与六角相 期刊论文 中国科学. A辑， 数学, 2001, 卷号: 31, 期号: 6, 页码: 562 作者:  王玉田 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/23 Comprehensive analysis of microtwins in the 3C-SiC films on Si(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 40-44 Zheng XH; Qu B; Wang YT; Dai ZZ; Han JY; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：98/10  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  chemical vapor deposition processes  silicon carbide  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  GROWTH  GAN  SI  DEFECTS  EPITAXY  LAYERS  MBE   RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料 期刊论文 材料科学与工艺, 2001, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 316 胡国新; 孙殿照; 王晓亮; 刘宏新; 刘成海; 曾一平; 李晋闽; 林兰英 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23