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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
1999 [4]
学科主题
半导体物理 [4]
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发表日期:1999
学科主题:半导体物理
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Effect of growth interruption on the optical properties of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
solid state communications, 1999, 卷号: 109, 期号: 10, 页码: 649-653
Lu ZD
;
Xu JZ
;
Zheng BZ
;
Xu ZY
;
Ge WK
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/08/12
semiconductors
optical properties
luminescence
CONFIGURATION
LUMINESCENCE
WELLS
TIME
Wavelength tuning in GaAsAlGaAs quantum wells by InAs submonolayer insertion
期刊论文
journal of physics-condensed matter, 1999, 卷号: 11, 期号: 17, 页码: 3629-3633
Xu ZY
;
Wang J
;
Wang Y
;
Ge WK
;
Li Q
;
Li SS
;
Henini M
收藏
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浏览/下载:31/0
  |  
提交时间:2010/08/12
OPTICAL-PROPERTIES
GAAS
DOTS
DEPENDENCE
SURFACES
GROWTH
Red luminescence from self-assembled InAlAs AlGaAs quantum dots with bimodal size distribution
期刊论文
chinese physics letters, 1999, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 298-300
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/08/12
PHOTOLUMINESCENCE
GE
TEMPERATURE
ENSEMBLES
SI(100)
GROWTH
SHAPE
Lateral ordered InGaAs self-organized quantum dots grown on (311) GaAs by conventional molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 1999, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 68-70
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2010/08/12
ALIGNMENT
SURFACES
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