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| 自励発振型半導体レーザ 专利
专利号: JP1997331115A, 申请日期: 1997-12-22, 公开日期: 1997-12-22
作者: 内田 史朗
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| AlInGaN系半導体発光素子および半導体発光装置 专利
专利号: JP1997307190A, 申请日期: 1997-11-28, 公开日期: 1997-11-28
作者: 福永 敏明
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| 半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2716717B2, 申请日期: 1997-11-07, 公开日期: 1998-02-18
作者: 船水 将久; 江口 和弘
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| 半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利号: JP2717016B2, 申请日期: 1997-11-07, 公开日期: 1998-02-18
作者: 細羽 弘之; 関 章憲; 幡 俊雄; 近藤 雅文; 須山 尚宏
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| 半導体発光素子 专利
专利号: JP1997289351A, 申请日期: 1997-11-04, 公开日期: 1997-11-04
作者: 上村 信行; 石橋 明彦; 粂 雅博; 伴 雄三郎; 武石 英見
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| AlInGaN系半導体発光素子 专利
专利号: JP1997266351A, 申请日期: 1997-10-07, 公开日期: 1997-10-07
作者: 早川 利郎
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| 半导体激光装置 专利
专利号: CN1159084A, 申请日期: 1997-09-10, 公开日期: 1997-09-10
作者: 元田隆; 小野健一
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| 半導体レーザ 专利
专利号: JP1997186397A, 申请日期: 1997-07-15, 公开日期: 1997-07-15
作者: 熊渕 康仁; 木戸口 勲; 足立 秀人; 上山 智; 西川 孝司
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| 半導体発光素子 专利
专利号: JP1997181398A, 申请日期: 1997-07-11, 公开日期: 1997-07-11
作者: 簗嶋 克典; 河角 孝行
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| 半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2657065B2, 申请日期: 1997-05-30, 公开日期: 1997-09-24
作者: 渡部 泰弘; 橋本 昌育; 田中 堅太郎
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