| 半導体発光素子 | |
| 上村 信行; 石橋 明彦; 粂 雅博; 伴 雄三郎; 武石 英見 | |
| 1997-11-04 | |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 专利号 | JP1997289351A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 低抵抗のp型オーミックコンタクト接触を実現し、しきい値電圧が従来より低い、Nを含有するIII-V族化合物より構成される半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 n型SiC(0001)基板上に作製された、Nを含有するIII-V族化合物より構成されるダブルヘテロ構造の上に、p型コンタクト層としてp型のGa0.9In0.1Nよりなるクラッド層を形成する。そうすることにより、p型コンタクト層と電極金属との間の価電子帯のポテンシャルバリアが低減し、従来より低いしきい値電圧が実現する。 |
| 公开日期 | 1997-11-04 |
| 申请日期 | 1996-04-19 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84341]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上村 信行,石橋 明彦,粂 雅博,等. 半導体発光素子. JP1997289351A. 1997-11-04. |
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