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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：1996    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Demonstration of light-hole behavior in quaternary GaInAsSb/AlGaAsSb quantum wells using infrared photoluminescence spectroscopy 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 1996, 卷号: 69, 期号: 7, 页码: 952-954 Shen, WZ; Shen, SC; Tang, WG; Chang, Y; Zhao, Y; Liu, AZ 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/03/25 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  LASERS   Photoluminescence of quaternary GaInAsSb/AlGaAsSb strained multiple quantum wells (vol 78, pg 5696, 1995) 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1996, 卷号: 79, 期号: 8, 页码: 4474-4474 Shen, WZ; Shen, SC; Tang, WG; Zhao, Y; Li, AZ 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/25 Photoluminescence studies of InGaAs/InAlAs strained double quantum wells 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1996, 卷号: 80, 期号: 9, 页码: 5348-5351 Shen, WZ; Shen, SC; Chang, Y; Tang, WG; Chen, JX; Li, AZ 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/25 PHOTOCURRENT SPECTROSCOPY  DEPENDENCE  LUMINESCENCE  INTENSITY  EXCITONS  HOLE   Growth and optical investigation of quaternary GaInAsSb/AlGaAsSb quantum wells 期刊论文 SOLID-STATE ELECTRONICS, 1996, 卷号: 40, 期号: 1-8, 页码: 143-147 Shen, SC; Shen, WZ; Tang, WG; Zhao, Y; Li, AZ 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/25 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  DEVICE APPLICATIONS  MATERIAL PARAMETERS  PHOTOLUMINESCENCE  GAAS  LASERS   Optical properties of quaternary GaInAsSb/AlGaAsSb strained quantum wells 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 1996, 卷号: 8, 期号: 26, 页码: 4751-4766 Shen, WZ; Shen, SC; Tang, WG; Chang, Y; Zhao, Y; Li, AZ 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/25 DEVICE APPLICATIONS  MATERIAL PARAMETERS  GAAS  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE  EXCITONS  RECOMBINATION  SUPERLATTICES  INGAAS/GAAS  ABSORPTION   Photoluminescence studies of InAs/InGaAs/AlAs strained single quantum well structures 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 1996, 卷号: 68, 期号: 1, 页码: 78-80 Shen, WZ; Shen, SC; Chang, Y; Tang, WG; Lu, Y; Li, AZ 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/25 VAPOR-PHASE EPITAXY  RADIATIVE RECOMBINATION  MATERIAL PARAMETERS  DEVICE APPLICATIONS  BAND-GAPS  GAAS  TEMPERATURE