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科研机构
上海微系统与信息技术... [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
1996 [6]
学科主题
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发表日期:1996
内容类型:期刊论文
专题:上海微系统与信息技术研究所
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Demonstration of light-hole behavior in quaternary GaInAsSb/AlGaAsSb quantum wells using infrared photoluminescence spectroscopy
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1996, 卷号: 69, 期号: 7, 页码: 952-954
Shen, WZ
;
Shen, SC
;
Tang, WG
;
Chang, Y
;
Zhao, Y
;
Liu, AZ
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提交时间:2012/03/25
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
LASERS
Photoluminescence of quaternary GaInAsSb/AlGaAsSb strained multiple quantum wells (vol 78, pg 5696, 1995)
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1996, 卷号: 79, 期号: 8, 页码: 4474-4474
Shen, WZ
;
Shen, SC
;
Tang, WG
;
Zhao, Y
;
Li, AZ
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/03/25
Photoluminescence studies of InGaAs/InAlAs strained double quantum wells
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1996, 卷号: 80, 期号: 9, 页码: 5348-5351
Shen, WZ
;
Shen, SC
;
Chang, Y
;
Tang, WG
;
Chen, JX
;
Li, AZ
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/25
PHOTOCURRENT SPECTROSCOPY
DEPENDENCE
LUMINESCENCE
INTENSITY
EXCITONS
HOLE
Growth and optical investigation of quaternary GaInAsSb/AlGaAsSb quantum wells
期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 1996, 卷号: 40, 期号: 1-8, 页码: 143-147
Shen, SC
;
Shen, WZ
;
Tang, WG
;
Zhao, Y
;
Li, AZ
收藏
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提交时间:2012/03/25
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
DEVICE APPLICATIONS
MATERIAL PARAMETERS
PHOTOLUMINESCENCE
GAAS
LASERS
Optical properties of quaternary GaInAsSb/AlGaAsSb strained quantum wells
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 1996, 卷号: 8, 期号: 26, 页码: 4751-4766
Shen, WZ
;
Shen, SC
;
Tang, WG
;
Chang, Y
;
Zhao, Y
;
Li, AZ
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提交时间:2012/03/25
DEVICE APPLICATIONS
MATERIAL PARAMETERS
GAAS
PHOTOLUMINESCENCE
TEMPERATURE
EXCITONS
RECOMBINATION
SUPERLATTICES
INGAAS/GAAS
ABSORPTION
Photoluminescence studies of InAs/InGaAs/AlAs strained single quantum well structures
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1996, 卷号: 68, 期号: 1, 页码: 78-80
Shen, WZ
;
Shen, SC
;
Chang, Y
;
Tang, WG
;
Lu, Y
;
Li, AZ
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/25
VAPOR-PHASE EPITAXY
RADIATIVE RECOMBINATION
MATERIAL PARAMETERS
DEVICE APPLICATIONS
BAND-GAPS
GAAS
TEMPERATURE
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