Investigation of dipole origin at high k dielectric hetero-junction interface
Ye TC(叶甜春)2; Wang WW(王文武)2; Zhou LX(周丽星)1; Wang XL(王晓磊)2; Xiang JJ(项金娟)2; Zhao C(赵超)2
刊名49th IEEE Semiconductor
2018-12-05
文献子类期刊论文
内容类型期刊论文
源URL[http://159.226.55.107/handle/172511/19214]  
专题微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位1.中国科学院大学
2.中国科学院微电子研究所;
推荐引用方式
GB/T 7714
Ye TC,Wang WW,Zhou LX,et al. Investigation of dipole origin at high k dielectric hetero-junction interface[J]. 49th IEEE Semiconductor,2018.
APA Ye TC,Wang WW,Zhou LX,Wang XL,Xiang JJ,&Zhao C.(2018).Investigation of dipole origin at high k dielectric hetero-junction interface.49th IEEE Semiconductor.
MLA Ye TC,et al."Investigation of dipole origin at high k dielectric hetero-junction interface".49th IEEE Semiconductor (2018).
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