用于X射线光刻掩模的纳米金刚石膜成核研究

CORC > 微电子研究所 > 中国科学院微电子研究所 > 回溯数据库（1992-2008年）

	用于X射线光刻掩模的纳米金刚石膜成核研究
	刘志凌; 叶甜春; 陈大鹏; 吕反修; 李东辉
刊名	无机材料学报
	2004
卷号	19 期号:4 页码:887-894
关键词	成核金刚石薄膜 Mpcvd X射线光刻掩模
ISSN号	1000-324X
产权排序	1
英文摘要	介绍了金刚石膜在下一代X射线光刻掩模中应用的必要性；通过调节衬底温度、改变生长时间、控制甲烷浓度等工艺措施，实验研究了不同参数对成核密度及成核质量的影响，获得了高密度形核的样品；对形核后的预生长期进行了工艺优化，有效地控制了核岛的优势生长，总结出了一套优化的形核方案，即甲烷浓度4％，衬底温度700℃，形核时间14min；这套工艺不仅改善了自支撑金刚石薄膜窗口的光学性能，还有效地降低了膜的内应力。
语种	中文
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1074]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘志凌,叶甜春,陈大鹏,等. 用于X射线光刻掩模的纳米金刚石膜成核研究[J]. 无机材料学报,2004,19(4):887-894.
APA	刘志凌,叶甜春,陈大鹏,吕反修,&李东辉.(2004).用于X射线光刻掩模的纳米金刚石膜成核研究.无机材料学报,19(4),887-894.
MLA	刘志凌,et al."用于X射线光刻掩模的纳米金刚石膜成核研究".无机材料学报 19.4(2004):887-894.