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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2011 [1]
2002 [1]
学科主题
半导体物理 [2]
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学科主题:半导体物理
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Fabrication and characterization of high performance AlGaN/GaN HEMTs on sapphire with silicon nitride passivation
期刊论文
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 64001
Zhang, Renping
;
Yan, Wei
;
Wang, Xiaoliang
;
Yang, Fuhua
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2012/06/14
Aspect ratio
Current density
Drain current
Electric network analysis
Electric network analyzers
Electron mobility
Fabrication
Gallium nitride
Ohmic contacts
Passivation
Silicon nitride
Silicon wafers
Thermal annealing behaviour of Ni/Au on n-GaN Schottky contacts
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 20, 页码: 2648-2651
作者:
Zhang SM
;
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:59/0
  |  
提交时间:2010/08/12
RESISTANCE OHMIC CONTACTS
FIELD-EFFECT TRANSISTOR
SINGLE-CRYSTAL GAN
MICROWAVE PERFORMANCE
STABILITY
BARRIER
DIODES
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