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Mocvd growth of a-plane inn films on r-al2o3 with different buffer layers 期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:  Zhang, Biao;  Song, Huaping;  Wang, Jun;  Jia, Caihong;  Liu, Jianming
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MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:  Jia CH;  Song HP
收藏  |  浏览/下载：118/2  |  提交时间：2011/07/05
Growth of high quality Ge epitaxial films on Si substrate by low temperature buffer technique 期刊论文
guangdianzi jiguang/journal of optoelectronics laser, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033
Zhou, Zhi-Wen; He, Jing-Kai; Li, Cheng; Yu, Jin-Zhong
收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2012/06/13
Effects of buffer layers on the stress and morphology of gan epilayer grown on si substrate by mocvd 期刊论文
Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298, 页码: 281-283
作者:  Liu, Zhe;  Wang, Xiaoliang;  Wang, Junxi;  Hu, Guoxin;  Guo, Lunchun
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12
Synthesis of GaN nanorods with vertebra-like morphology 会议论文
ieee international conference of nano/micro engineered and molecular systems, zhuhai, peoples r china, jan 18-21, 2006
Gao, HY (Gao, Haiyong); Li, JM (Li, Jinmin)
收藏  |  浏览/下载：112/30  |  提交时间：2010/03/29
Study on growth mechanism of low-temperature prepared microcrystalline si thin films 期刊论文
Acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 4, 页码: 1890-1894
作者:  Gu, JH;  Zhou, YQ;  Zhu, MF;  Li, GH;  Kun, D
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Growth of crack-free algan film on thin aln interlayer by mocvd 期刊论文
Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 1-2, 页码: 35-40
作者:  Jin, RQ;  Liu, JP;  Zhang, JC;  Yang, H
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Influences of reactor pressure of gan buffer layers on morphological evolution of gan grown by mocvd 期刊论文
Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 248-253
作者:  Chen, J;  Zhang, SM;  Zhang, BS;  Zhu, JJ;  Shen, XM
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Influences of reactor pressure of GaN buffer layers on morphological evolution of GaN grown by MOCVD 期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 248-253
作者:  Zhang SM
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Effect on the optical properties and surface morphology of cubic gan grown by metalorganic chemical vapor deposition using isoelectronic indium surfactant doping 期刊论文
Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 207-211
作者:  Feng, ZH;  Yang, H;  Zhang, SM;  Duan, LH;  Wang, H
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