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Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2010, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 57802
作者:  Zhao, DG;  Zhang, S;  Liu, WB;  Hao, XP;  Jiang, DS
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