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半导体材料 [17]

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	High-power quantum dot superluminescent diode with integrated optical amplifier section 期刊论文 electronics letters, 2011, 卷号: 47, 期号: 21, 页码: 1191- Wang, ZC; Jin, P; Lv, XQ; Li, XK; Wang, ZG 收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2012/02/06 LIGHT-EMITTING-DIODES SPECTRUM
	Broadband tunable external cavity laser using a bent-waveguide quantum-dot superluminescent diode as gain device 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 064202 作者: Jin P 收藏 \| 浏览/下载：43/4 \| 提交时间：2011/07/15 LIGHT-EMITTING-DIODES OPTICAL-PROPERTIES TUNING RANGE NM EMISSION SPECTRUM SPECTROSCOPY
	Broadband external cavity tunable quantum dot lasers with low injection current density 期刊论文 optics express, 2010, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 8916-8922 作者: Wang WY; Jin P 收藏 \| 浏览/下载：170/44 \| 提交时间：2010/05/24 LIGHT-EMITTING-DIODES NM TUNING RANGE SUPERLUMINESCENT DIODES WELL LASER EMISSION SPECTROSCOPY SPECTRUM
	A broadband external cavity tunable InAs/GaAs quantum dot laser by utilizing only the ground state emission 期刊论文 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: art. no. 018104 作者: Jin P 收藏 \| 浏览/下载：99/17 \| 提交时间：2010/04/04 quantum-dot tunable laser external cavity broadband tuning NM TUNING RANGE SUPERLUMINESCENT DIODES LIGHT-SOURCE WELL LASER SPECTROSCOPY SPECTRUM
	InAs/GaAs quantum-dot superluminescent diodes with 110 nm bandwidth 期刊论文 electronics letters, 2005, 卷号: 41, 期号: 25, 页码: 1400-1402 作者: Jin P 收藏 \| 浏览/下载：51/0 \| 提交时间：2010/04/11 SPECTRUM
	A novel application to quantum dot materials to the active region of superluminescent diodes 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 25-29 作者: Li CM; Xu B; Jin P; Ye XL 收藏 \| 浏览/下载：30/0 \| 提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy low dimensional structures quantum dots strain molecular beam epitaxy superluminescent diodes 1.3 MU-M HIGH-POWER INTEGRATED ABSORBER INAS ISLANDS SPECTRUM WINDOW LAYER SIZE
	Study on pollution for the photoelectronic material InP 期刊论文 spectroscopy and spectral analysis, 2002, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 550-551 Xu JC; Ding XP; Chen DQ 收藏 \| 浏览/下载：40/0 \| 提交时间：2010/08/12 mass spectrum analysis photoluminescence electron concentration electron mobility
	Raman study on residual strains in thin 3C-SiC epitaxial layers grown on Si(001) 会议论文 1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999 Zhu JJ; Liu SY; Liang JW 收藏 \| 浏览/下载：3/0 \| 提交时间：2010/11/15 Raman spectrum thin film chemical vapor deposition SCATTERING SI
	Photoelectrochemical behavior of a novel composite In0.15Ga0.85As/GaAs vertical bar GaAs/Al0.3Ga0.7As multiple quantum well electrode 期刊论文 electrochemistry communications, 2000, 卷号: 2, 期号: 6, 页码: 404-406 Liu Y; Xiao XR; Zeng YP 收藏 \| 浏览/下载：37/0 \| 提交时间：2010/08/12 multiple quantum well electrode quantization effect exciton transition photocurrent spectrum photoelectrochemical cell SOLAR-CELLS PHOTOCURRENT SPECTROSCOPY SUPERLATTICE ELECTRODES EFFICIENCY PHOTOLUMINESCENCE HETEROSTRUCTURE
	Raman study on residual strains in thin 3C-SiC epitaxial layers grown on Si(001) 期刊论文 thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 307-311 Zhu JJ; Liu SY; Liang JW 收藏 \| 浏览/下载：49/0 \| 提交时间：2010/08/12 Raman spectrum thin film chemical vapor deposition SCATTERING SI

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