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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2018    内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Interface Engineering of Ge-based Nanoelectronics Using Fluorinated Graphene 会议论文 2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2018 - Proceedings 作者:  Zheng, X.;  Zhang, M.;  Shi, X.;  Wang, G.;  Zheng, L. 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/30 Capacitance  Diffusion barriers  Germanium  Germanium oxides  Graphene  High-k dielectric  Manufacture  Metals  MOS devices  Nanoelectronics  Oxide semiconductors  Dielectric layer  Diffusion barrier layers  Equivalent oxide thickness  Interface engineering  Interfacial oxides  Low-power logic  Metal oxide semiconductor  Voltage hysteresis  Graphene devices