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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：贵州大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Updated structure of vertical double-diffused MOSFETs for irradiation hardening against single events 期刊论文 2018, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 1578-1583 作者:  Tang, Zhaohuan;  Li, Xingji;  Tan, Kaizhou;  Liu, Chaoming;  Fu, Xinghua 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/02 Characterization of crystalline GeSn layer on tensile-strained Ge buffer deposited by magnetron sputtering 期刊论文 2018, 卷号: 85, 页码: 134-140 作者:  Miao, Yuanhao;  Wang, Yibo;  Hu, Huiyong;  Liu, Xiangyu;  Su, Han 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 SEGR- and SEB-hardened structure with DSPSOI in power MOSFETs 期刊论文 2017, 卷号: 38, 期号: 12 作者:  Tang, Zhaohuan;  Fu, Xinghua;  Yang, Fashun;  Tan, Kaizhou;  Ma, Kui 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/02 SEGR-and SEB-hardened structure with DSPSOI in power MOSFETs 期刊论文 2017, 卷号: 38, 期号: 12, 页码: 68-72 作者:  Zhaohuan Tang;  Xinghua Fu;  Fashun Yang;  Kaizhou Tan;  Kui Ma 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/31 power MOSFETs  partial silicon-on-insulator  single event gate rupture  single event burnout