QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Double-bit-line sub-threshold storage unit circuit 专利 申请日期: 2012-01-01, 作者:  YUEHUA DAI;  XIULONG WU;  CHAO XU;  ZHENGPING LI;  NA BAI 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/19 SRAM (Static random access memory) bit line leakage current compensation circuit 专利 申请日期: 2012-01-01, 作者:  XIULONG WU;  CHAO XU;  ZHENGPING LI;  NA BAI;  SHOUBIAO TAN 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/19 Sub-threshold storage circuit with high density and high robustness 专利 申请日期: 2012-01-01, 作者:  YUEHUA DAI;  XIULONG WU;  CHAO XU;  ZHENGPING LI;  NA BAI 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/19 Single-end-operated subthreshold storage unit circuit 专利 申请日期: 2012-01-01, 作者:  YUEHUA DAI;  XIULONG WU;  CHAO XU;  ZHENGPING LI;  NA BAI 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/19 Method and structure for low stress oxide VCSEL 专利 专利号: US20070091961A1, 申请日期: 2007-04-26, 公开日期: 2007-04-26 作者:  LIN, CHAO-KUN;  CORZINE, SCOTT W.;  TAN, MICHAEL R. T. 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 Active region of a light emitting device optimized for increased modulation speed operation 专利 专利号: US20060274801A1, 申请日期: 2006-12-07, 公开日期: 2006-12-07 作者:  TANDON, ASHISH;  DJORDJEV, KOSTADIN;  LIN, CHAO-KUN;  TAN, MICHAEL R.T. 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 Intracavity contacted long wavelength VCSELs with buried antimony layers 专利 专利号: EP1246328A2, 申请日期: 2002-10-02, 公开日期: 2002-10-02 作者:  LIN, CHAO-KUN;  CORZINE, SCOTT W.;  TAN, MICHAEL R. T.;  HOUNG, YU-MIN 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31