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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Aluminum incorporation efficiencies in A- and C-plane AlGaN grown by MOVPE 期刊论文 chinese physics b, 2016, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 048105 Dong-Yue Han; Hui-Jie Li; Gui-Juan Zhao; Hong-Yuan Wei; Shao-Yan Yang; Lian-Shan Wang 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/10 Effect of the thickness of InGaN interlayer on the a-plane GaN epilayer 期刊论文 chinese physics b, 2015, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 26802-26806 Jian-Xia Wang; Lian-Shan Wang; Qian Zhang; Xiang-Yue Meng; Shao-Yan Yang; Gui-Juan Zhao; Hui-Jie Li; Hong-Yuan Wei; Zhan-Guo Wang 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2016/03/29 Electron mobility limited by surface and interface roughness scattering in AlxGaN-GaN quantum wells 期刊论文 chinese physics b, 2013, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 7305 Wang Jian-Xia, Yang Shao-Yan, Wang Jun, Liu Gui-Peng, Li Zhi-Wei, Li Hui-Jie, Jin Dong-Dong, Liu Xiang-Lin, Zhu Qin-Sheng, Wang Zhan-Guo 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2014/03/18 Electron scattering in GaAs-InGaAs quantum wells subjected to an in-plane magnetic field 期刊论文 journal of applied physics, 2013, 卷号: 113, 期号: 21, 页码: 213711-213711-4 Jin, Dong-Dong; Yang, Shao-Yan; Zhang, Liu-Wan; Li, Hui-jie; Zhang, Heng; Wang, Jian-xia; Yang, Tao; Xiang-LinLiu; Zhu, Qin-Sheng; Wang, Zhan-Guo 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/03/17