QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：大连理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Silicon-doped hafnium oxide anti-ferroelectric thin films for energy storage 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2017, 卷号: 122 作者:  Ali, Faizan;  Liu, Xiaohua;  Zhou, Dayu;  Yang, Xirui;  Xu, Jin 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/03 The Rayleigh law in silicon doped hafnium oxide ferroelectric thin films 期刊论文 PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS, 2015, 卷号: 9, 页码: 589-593 作者:  Guan, Yan;  Zhou, Dayu;  Xu, Jin;  Liu, Xiaohua;  Cao, Fei 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/09 Si-doped HfO2  thin films  Rayleigh law  ferroelectric materials   Electric field and temperature scaling of polarization reversal in silicon doped hafnium oxide ferroelectric thin films 期刊论文 ACTA MATERIALIA, 2015, 卷号: 99, 页码: 240-246 作者:  Zhou, Dayu;  Guan, Yan;  Vopson, Melvin M.;  Xu, Jin;  Liang, Hailong 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/09 Hafnium oxide  Ferroelectric  Domain switching  Temperature dependence  Endurance   Wake-up effects in Si-doped hafnium oxide ferroelectric thin films 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 103, 页码: - 作者:  Zhou, Dayu;  Xu, Jin;  Li, Qing;  Guan, Yan;  Cao, Fei 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/11