QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Tuning of Rashba/Dresselhaus Spin Splittings by Inserting Ultra-Thin InAs Layers at Interfaces in Insulating GaAs/AlGaAs Quantum Wells 期刊论文 nanoscale res lett, 2016, 卷号: 11, 期号: 1, 页码: 477 Jinling Yu; Xiaolin Zeng; Shuying Cheng; Yonghai Chen; Yu Liu; Yunfeng Lai; Qiao Zheng; Jun Ren 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/03/10 Temperature dependence of circular photogalvanic effect in GaAs/Al 0.3Ga0.7As two-dimensional electron system 期刊论文 journal of physics: conference series, 2012, 卷号: 400, 期号: part 4, 页码: 042041 Ma, Hui; Jiang, Chongyun; Liu, Yu; Yu, Jinling; Chen, Yonghai 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/04/19 Radiation modulation of circular photogalvanic effect in two-dimensional electron gas system 期刊论文 journal of physics: conference series, 2012, 卷号: 400, 期号: part 4, 页码: 042024 Jiang, Chongyun; Ma, Hui; Yu, Jinling; Liu, Yu; Chen, Yonghai 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/05/13 Stress and resistivity controls on in situ boron doped LPCVD polysilicon films for high-Q MEMS applications 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 34-38 Xie Jing; Liu Yunfei; Yang Jinling; Tang Longjuan; Yang Fuhua 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/23 Dependence of wet etch rate on deposition, annealing conditions and etchants for PECVD silicon nitride film 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 151-154 作者:  Li Yan 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23