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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Molecular beam epitaxy growth of high electron mobility InAs AlSb deep 期刊论文 journal of applied physics, 2013, 卷号: 114, 期号: 1, 页码: 013704 Juan Wang, Guo-Wei Wang, Ying-Qiang Xu, Jun-Liang Xing, Wei Xiang, Bao Tang, Yan Zhu, Zheng-Wei Ren, Zhen-Hong He, Zhi-Chuan Niu 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2014/03/26 Defect of Te-doped GaSb layers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of infrared and millimeter waves, 2012, 卷号: 31, 期号: 4, 页码: 298-301 Chen Y (Chen Yan); Deng AH (Deng Ai-Hong); Tang B (Tang Bao); Wang GW (Wang Guo-Wei); Xu YQ (Xu Ying-Qiang); Niu ZC (Niu Zhi-Chuan) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/04/02 Growth and Characterization of GaSb-Based Type-II InAs/GaSb Superlattice Photodiodes for Mid-Infrared Detection 期刊论文 chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 7, 页码: art. no. 077305 Wang GW (Wang Guo-Wei); Xu YQ (Xu Ying-Qiang); Guo J (Guo Jie); Tang B (Tang Bao); Ren ZW (Ren Zheng-Wei); He ZH (He Zhen-Hong); Niu ZC (Niu Zhi-Chuan) 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/08/17 IR DETECTION MODULES  INAS