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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Pharmacological properties and derivatives of shikonin—A review in recent years 其他 2019-01-01 作者:  Guo C.[1,2];  He J.[1];  Song X.[1];  Tan L.[1];  Wang M.[1] 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/16 HIGH SENSITIVITY AND LARGE MEASUREMENT RANGE REFRACTOMETRIC SENSING BASED ON MACH-ZEHNDER INTERFEROMETER 其他 2016-01-01 Zhang, G.; Cai, H.; Gu, Y. D.; Song, J. F.; Dong, B.; Yang, Z. C.; Jin, Y. F.; Hao, Y. L.; Sivalingam, S. P.; Yap, P. H.; Kwong, D. L.; Liu, A. Q. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 Effect of Cocaine on Ion Channels and Glutamatergic EPSCs in Noradrenergic Locus Coeruleus Neurons 其他 2014-01-01 Liu, L. N.; Zhu, F. P.; Song, M. Y.; Kang, X. J.; Shang, S. J.; Zhang, X. Y.; Xu, H. D.; Teng, S. S.; Liu, B.; Kuo, S. T.; Liu, W.; Li, M. L.; Zhou, L.; Jiao, R. Y.; Wang, C. H.; Wang, S. R.; Yang, H.; Zhang, B.; Zhou, Z.; Xu, Z. Q. D. 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/11/12 Locus coeruleus brain slice  Cocaine  Galanin  EPSC  Voltage gated ion channels  FUNCTIONAL NEUROANATOMY  HIPPOCAMPAL-NEURONS  INTRAVENOUS COCAINE  BRAIN  RATS  DOPAMINE  AROUSAL  NOREPINEPHRINE  FLUCTUATIONS  TRANSPORTERS   Evaluating the Effects of Physical Mechanisms on the Program, Erase and Retention in the Charge Trapping Memory 其他 2008-01-01 Song, Y. C.; Liu, X. Y.; Wang, Z. Y.; Zhao, K.; Du, G.; Kang, J. F.; Han, R. Q.; Xia, Z. L.; Kim, D.; Lee, K-H 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 Charge Trapping Memory  Non-volatile Memory  Simulation of Programming/Erasing/Retention Characteristics   Local Accumulated Free Carriers in Charge Trapping Memory 其他 2008-01-01 Song, Y. C.; Liu, X. Y.; Zhao, K.; Kang, J. F.; Han, R. Q.; Xia, Z. L.; Kim, D.; Lee, K-H 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 SILICON-NITRIDE  DIOXIDE   Simulation of Charge Trapping Memory with Novel Structures 其他 2008-01-01 Liu, X. Y.; Song, Y. C.; Du, Gang; Han, R. Q.; Xia, Z. L.; Kim, D.; Lee, K-H 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 SILICON-NITRIDE