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Future Physics Programme of BESIII *
期刊论文
CHINESE PHYSICS C, 2020, 卷号: 44, 期号: 4, 页码: 40001
作者:
Ablikim, M.
;
Achasov, M. N.
;
Adlarson, P.
;
Ahmed, S.
;
Albrecht, M.
收藏
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浏览/下载：87/0
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提交时间：2020/06/16
ELECTROMAGNETIC FORM-FACTORS
ENERGY MEASUREMENT SYSTEM
LEPTON FLAVOR VIOLATION
TRIPLE-PRODUCT CORRELATIONS
CHIRAL PERTURBATION-THEORY
LARGE-MOMENTUM-TRANSFER
MU-E CONVERSION
CP VIOLATION
CROSS-SECTION
R-PARITY
Future Physics Programme of BESIII
期刊论文
CHINESE PHYSICS C, 2020, 卷号: 44, 期号: 4, 页码: 40001
作者:
Ablikim, M.
;
Achasov, M. N.
;
Adlarson, P.
;
Ahmed, S.
;
Albrecht, M.
收藏
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浏览/下载：62/0
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提交时间：2021/09/27
ELECTROMAGNETIC FORM-FACTORS
ENERGY MEASUREMENT SYSTEM
LEPTON FLAVOR VIOLATION
TRIPLE-PRODUCT CORRELATIONS
CHIRAL PERTURBATION-THEORY
LARGE-MOMENTUM-TRANSFER
MU-E CONVERSION
CP VIOLATION
CROSS-SECTION
R-PARITY
The influence of channel length on total ionizing dose effect in deep submicron technologies
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 5, 页码: 50702
Hu, ZY
;
Liu, ZL
;
Shao, H
;
Zhang, ZX（重点实验室）
;
Ning, BX
;
Bi, DW（重点实验室）
;
Chen, M
;
Zou, SC（重点实验室）
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浏览/下载：50/0
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提交时间：2013/05/10
Physics
Multidisciplinary
The influence of channel length on total ionizing dose effect in deep submicron technologies
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 5, 页码: 50702
Hu, ZY
;
Liu, ZL
;
Shao, H
;
Zhang, ZX
;
Ning, BX
;
Bi, DW
;
Chen, M
;
Zou, SC
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浏览/下载：19/0
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提交时间：2013/04/17
total ionizing dose
shallow trench isolation
oxide trapped charge
metal-oxide-semiconductor field effect transistor
Radiation induced inter-device leakage degradation
期刊论文
CHINESE PHYSICS C, 2011, 卷号: 35, 期号: 8, 页码: 769-773
Hu,ZY
;
Liu,ZL
;
Shao,H
;
Zhang,ZX
;
Ning,BX
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Zou,SC
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浏览/下载：12/0
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提交时间：2012/04/10
CHINESE PHYSICAL SOC
Enhanced Total Ionizing Dose Susceptibility in Narrow Channel Devices
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 7, 页码: 70701
Liu,ZL
;
Hu,ZY
;
Zhang,ZX
;
Shao,H
;
Ning,BX
;
Bi,DW
;
Chen,M
;
Zou,SC
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浏览/下载：9/0
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提交时间：2012/04/10
IOP PUBLISHING LTD
Total ionizing dose effect in an input/output device for flash memory
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 120703
Liu,ZL
;
Hu,ZY
;
Zhang,ZX
;
Shao,H
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Ning,BX
;
Zou,SC
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浏览/下载：12/0
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提交时间：2012/04/10
IOP PUBLISHING LTD
Impact of substrate bias on radiation-induced edge effects in MOSFETs
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 120702
Hu,ZY
;
Liu,ZL
;
Shao-Hua
;
Zhang,ZX
;
Ning,BX
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Zou,SC
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浏览/下载：9/0
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提交时间：2012/04/10
IOP PUBLISHING LTD
Bias dependence of a deep submicron NMOSFET response to total dose irradiation
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2011, 卷号: 20, 期号: 7, 页码: 70701
Liu,ZL
;
Hu,ZY
;
Zhang,ZX
;
Shao,H
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Ning,BX
;
Zou,SC
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浏览/下载：21/0
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提交时间：2012/04/10
IOP PUBLISHING LTD
Total ionizing dose effect of 0. 18 mu M nMOSFETs
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 11, 页码: 116103
Liu,ZL
;
Hu,ZY
;
Zhang,ZX
;
Shao,H
;
Ning,BX
;
Bi,DW
;
Chen,M
;
Zou,SC
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浏览/下载：12/0
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提交时间：2012/04/10
CHINESE PHYSICAL SOC
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