×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2017 [3]
2016 [1]
2015 [3]
学科主题
半导体物理 [7]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
限定条件
学科主题:半导体物理
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
The effect of Bi composition on the electrical properties of InP1–xBix
期刊论文
Physics,Mechanics & Astronomy, 2017, 卷号: 60, 期号: 4, 页码: 047022
作者:
GuanNan Wei
;
Xing Dai
;
Qi Feng
;
WenGang Luo
;
YiYang Li
收藏
  |  
浏览/下载:31/0
  |  
提交时间:2018/06/15
Fast,multicolor photodetection with graphene-contacted p-GaSe/n-InSe van der Waals heterostructures
期刊论文
Nanotechnology, 2017, 卷号: 28, 页码: 27LT01
作者:
Faguang Yan
;
Lixia Zhao
;
Amalia Patanè
;
PingAn Hu
;
Xia Wei
收藏
  |  
浏览/下载:37/0
  |  
提交时间:2018/07/02
Au-nanoparticles-decorated Sb2S3 nanowirebased flexible ultraviolet/visible photodetectors†
期刊论文
Journal of Materials Chemistry C, 2017, 卷号: 5, 页码: 3330--3335
作者:
Kai Zhang
;
Tao Luo
;
Haoran Chen
;
Zheng Lou
;
Guozhen Shen
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2018/06/15
Bismuth-content-dependent polarized Raman spectrum of InPBi alloy
期刊论文
chinese physics b, 2016, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 66301-66306
Guan-Nan Wei
;
Qing-Hai Tan
;
Xing Dai
;
Qi Feng
;
Wen-Gang Luo
;
Yu Sheng
;
Kai Wang
;
Wen-Wu Pan
;
Li-Yao Zhang
;
Shu-Min Wang
;
Kai-You Wang
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2017/03/16
Highly sensitive and fast phototransistor based on large size CVD-grown SnS2 nanosheets
期刊论文
nanoscale, 2015, 卷号: 7, 期号: 33, 页码: 14093-14099
Yun Huang
;
Hui-Xiong Deng
;
Kai Xu
;
Zhen-Xing Wang
;
Qi-Sheng Wang
;
Feng-Mei Wang
;
Feng Wang
;
Xue-Ying Zhan
;
Shu-Shen Li
;
Jun-Wei Luo
;
Jun He
收藏
  |  
浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2016/03/29
Sulfur vacancy activated field effect transistors based on ReS2 nanosheets
期刊论文
Nanoscale, 2015, 卷号: 7, 期号: 38, 页码: 15757-15762
Kai Xu
;
Hui-Xiong Deng
;
Zhenxing Wang
;
Yun Huang
;
Feng Wang
;
Shu-Shen Li
;
Jun-Wei Luo
;
Jun He
收藏
  |  
浏览/下载:20/0
  |  
提交时间:2016/04/08
Sulfur vacancy activated field effect transistors based on ReS2 nanosheets
期刊论文
nanoscale, 2015, 卷号: 7, 期号: 38, 页码: 15757-15762
Kai Xu
;
Hui-Xiong Deng
;
Zhenxing Wang
;
Yun Huang
;
Feng Wang
;
Shu-Shen Li
;
Jun-Wei Luo
;
Jun He
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2016/03/29
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace