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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2014 [1]
2011 [1]
2010 [1]
学科主题
半导体材料 [3]
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学科主题:半导体材料
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Effects of interface roughness on photoluminescence full width at half maximum in GaN/AlGaN quantum wells
期刊论文
chinese physics b, 2014, 卷号: 23, 期号: 11, 页码: 117803
Wang Wei-Ying
;
Liu Gui-Peng
;
Jin Peng
;
Mao De-Feng
;
Li Wei
;
Wang Zhan-Guo
;
Tian Wu
;
Chen Chang-Qing
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提交时间:2015/03/20
Anomalous linear photogalvanic effect observed in a GaN-based two-dimensional electron gas
期刊论文
physical review b, 2011, 卷号: 84, 期号: 7, 页码: 75341
作者:
Jiang CY
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2011/09/14
PHOTOMAGNETISM
METALS
Strong circular photogalvanic effect in ZnO epitaxial films
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 4, 页码: art. no. 041907
Zhang Q (Zhang Q.)
;
Wang XQ (Wang X. Q.)
;
Yin CM (Yin C. M.)
;
Xu FJ (Xu F. J.)
;
Tang N (Tang N.)
;
Shen B (Shen B.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Chang K (Chang K.)
;
Ge WK (Ge W. K.)
;
Ishitani Y (Ishitani Y.)
;
Yoshikawa A (Yoshikawa A.)
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提交时间:2010/09/07
II-VI semiconductors
photoconductivity
photovoltaic effects
semiconductor epitaxial layers
spin-orbit interactions
valence bands
wide band gap semiconductors
zinc compounds
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