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一种碳包覆硒铟锂材料及其制备方法与应用 专利
申请日期: 2019-04-16, 公开日期: 2019-04-16
作者:  李博;  陶绪堂;  王善朋;  张梦起;  刘阳阳
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一种室温铁磁半导体材料MnSiP2及其制备方法和应用 专利
申请日期: 2016-12-21, 公开日期: 2016-12-21
作者:  王善朋;  陶绪堂;  张翔;  于童童
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正交相二维层状SiP单晶及薄膜的制备方法及其应用 专利
申请日期: 2016-11-16, 公开日期: 2016-11-16
作者:  王善朋;  陶绪堂;  李春龙;  于童童
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一种正交相二维层状SiP2单晶薄膜及其制备方法和应用 专利
申请日期: 2016-04-20, 公开日期: 2016-04-20
作者:  王善朋;  陶绪堂;  张翔;  李春龙
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一种金属助熔剂法生长过渡金属硫属化合物晶体的方法 专利
申请日期: 2015-08-19, 公开日期: 2015-08-19
作者:  陶绪堂;  张西霞;  王善朋
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一种金属助熔剂法生长过渡金属硫属化合物晶体的方法 专利
申请日期: 2015-08-19, 公开日期: 2015-08-19
作者:  陶绪堂;  张西霞;  王善朋
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P族多元化合物双温区合成容器及装置 专利
申请日期: 2011-12-21, 公开日期: 2011-12-21
作者:  陶绪堂;  张国栋;  王善朋;  施琼;  阮华棚
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P族多元化合物双温区合成容器及装置 专利
申请日期: 2011-12-21, 公开日期: 2011-12-21
作者:  陶绪堂;  张国栋;  王善朋;  施琼;  阮华棚
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磷硅镉多晶料的双温区合成方法及装置 专利
申请日期: 2011-09-21, 公开日期: 2011-09-21
作者:  陶绪堂;  张国栋;  王善朋;  施琼;  阮华棚
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磷硅镉多晶料的双温区合成方法及装置 专利
申请日期: 2011-09-21, 公开日期: 2011-09-21
作者:  陶绪堂;  张国栋;  王善朋;  施琼;  阮华棚
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