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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体器件     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Impurity Resonant States p-type Doping in Wide-Band-Gap Nitrides 期刊论文 scientific reports, 2016, 卷号: 6, 页码: 19537 Zhiqiang Liu; Xiaoyan Yi; Zhiguo Yu; Gongdong Yuan; Yang Liu; Junxi Wang; Jinmin Li; Na Lu; Ian Ferguson; Yong Zhang 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/03/16 表面等离激元增强GaN基纳米孔LED的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-17 朱石超; 赵丽霞; 于治国; 孙雪娇; 王军喜; 李晋闽 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2014/12/25 垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25 于治国; 赵丽霞; 魏学成; 王军喜; 李晋闽 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2014/11/17 垂直阵列纳米柱LED的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-04 于治国; 赵丽霞; 魏学成; 王军喜; 李晋闽 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2014/11/17 可见光通信用单芯片白光LED及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 杨超; 赵丽霞; 朱石超; 刘磊; 于治国; 王军喜; 李晋闽 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2016/09/12 一种利用光致发光谱测量GaN基LED的极化电场的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22 魏学成; 赵丽霞; 张连; 于治国; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2014/11/05 表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25 于治国; 赵丽霞; 魏学成; 王军喜; 李晋闽 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2014/11/17