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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 C-V and J-V investigation of HfO2/Al2O3 bilayer dielectrics MOSCAPs on (100) β-Ga2O3 期刊论文 AIP Advances, 2018 作者:  Xue HW(薛惠文);  Dong H(董航);  Mu WX(穆文祥);  Hu Y(胡媛);  He QM(何启鸣) 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2019/04/18 Self-Rectifying and Forming-Free Resistive-Switching Device for Resistive-Switching Device for 期刊论文 IEEE Electron Device Letter, 2018 作者:  Luo Q(罗庆);  Zhang XM(张续猛);  Hu Y(胡媛);  Gong TC(龚天成);  Xu XX(许晓欣) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/04/10 微纳电子器件及集成研究群体 成果 2018 主要完成人:  谢常青;  许晓欣;  商立伟;  龙世兵;  刘明 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/24 阻变存储器的制造方法 专利 专利号: CN201210058676.7, 申请日期: 2015-07-22, 公开日期: 2013-09-18 作者:  胡媛;  张满红;  霍宗亮;  吕杭炳;  刘琦 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/09/12