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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    发表日期：2012     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electrical characterization of back-gated bi-layer MoS2 field-effect transistors and the effect of ambient on their performances 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 100, 期号: 12 Qiu, H; Pan, LJ; Yao, ZN; Li, JJ; Shi, Y; Wang, XR 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/09/17 GRAPHENE TRANSISTORS  MONOLAYER MOS2  OXIDATION  CRYSTALS